文章编号:(1995)02-89-4
工业纯α- Ti氢处理产生的微观缺陷及其作用①
(1.东北大学物理系,沈阳110015;
2.中国科学院金属研究所辽宁省材料与氢重点实验室,沈阳110015)
摘 要: 用正电子湮没、TEM和金相方法研究了不同程度氢处理的工业纯α- Ti产生的微观缺陷及其作用。实验结果表明:渗氢后材料内是单空位,或者是其自由体积相当于单空位的点缺陷(如晶界、相界上存在的严重畸变区缺陷数量远大于除氢后材料内的缺陷数量,当渗氢量为0. 58%时,渗氢后材料内的缺陷主要是位错;随氢含量增加,单空位的数量也随之增加;当氢含量达2. 11%时,其缺陷主要)。TEM和金相观察表明,渗氢后位错存在于α-Ti基体中。除氢后晶粒明显细化。适当的渗氢量引进的微观缺陷,在除氢后可使晶粒细化而且等轴性高。
关键字: α-Ti 正电子湮没寿命 Doppler增宽 TEM 渗氢 除氢
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Abstract:
Key words: